Ora c'è una finestra di tempo per passare da LDMOS al nitruro di gallio, ma solo tre anni." Ren Mian, direttore generale di Energon Semiconductor, ha affermato che dopo 12 anni di duro lavoro nel campo del nitruro di gallio, Energon Semiconductor ha raggiunto un punto critico e può occupare una posizione favorevole nella competizione cogliendo l'opportunità della costruzione di stazioni base 5G.
Gli attuali dispositivi RF ad alta-potenza (potenza > 3 watt) utilizzati nelle stazioni base e nei sistemi di ritorno wireless si basano principalmente su tre materiali, ovvero il tradizionale LDMOS (MOS a diffusione laterale), l'arseniuro di gallio (GaAs) e l'emergente nitruro di gallio (GaN). Un rapporto del luglio 2017 della società di ricerche di mercato Yole (Yole Developpement) prevedeva che la quota dell'arseniuro di gallio nel mercato dei dispositivi RF ad alta-potenza sarebbe rimasta stabile nei prossimi cinque-dieci anni, ma LDMOS e nitruro di gallio avrebbero mostrato un compromesso-off. Nel 2025, la percentuale di LDMOS diminuirà da circa il 40% al 15% e il nitruro di gallio supererà LDMOS e arseniuro di gallio per diventare la tecnologia leader dei dispositivi RF ad alta-potenza, rappresentando circa il 45% entro il 2025. Il periodo dal 2019 al 2021 è il periodo critico per la costruzione dell'infrastruttura 5G e sarà anche il periodo critico per la sostituzione dei dispositivi al nitruro di gallio LDMOS.
