Sia i transistor al silicio che i transistor al germanio hanno la funzione di amplificazione di corrente. La differenza è che la tensione della zona morta dei transistor al silicio è maggiore di quella dei transistor al germanio; la tensione di accensione dei transistor al silicio è di circa 0,7 V e la tensione di accensione dei transistor al germanio è di circa 0,3 V;
La corrente inversa dei transistor al silicio è molto più piccola di quella dei transistor al germanio; la temperatura massima di esercizio consentita dai transistor al silicio è superiore a quella dei transistor al germanio; i transistor al silicio sono più stabili dei transistor al germanio.
